Seachadadh go hoifigiúil le déanaí an chéad trealamh náisiúnta stripping léasair tinne SiC orlach 8- orlach SiC go hiomlán uathoibríoch arna fhorbairt go neamhspleách ag Jiangsu General Semiconductor Co., Ltd. chuig Guangzhou Nansha Wafer Semiconductor Technology Co., Ltd., príomhfhiontar sa réimse de tháirgeadh substráit SiC, agus a chur i dtáirgeadh.
Is féidir leis an trealamh slicing iomlán uathoibríoch de 6-orlach agus 8-thinní SiC orlach a bhaint amach, lena n-áirítear luchtú tinne, meilt tinne, gearradh léasair, scaradh sliseog agus bailiú sliseog. Tá a tháirgeadh tionsclaíoch tar éis an bhearna mhargaidh a líonadh i réimse taighde agus forbartha agus déantúsaíochta trealaimh stripping léasair tinne SiC sa tSín, ag briseadh tríd an imshuí teicneolaíochta eachtrach, ag feabhsú go mór leibhéal neamhspleáchais agus tionsclaíochta thionscal sliseanna SiC mo thír, agus ag soláthar ráthaíocht dhaingean do shlándáil agus do chobhsaíocht slabhra soláthair slabhra tionscal ciorcad comhtháite mo thír.
Is féidir leis an trealamh 20,000 foshraitheanna SiC a stialladh in aghaidh na bliana, ag baint amach toradh níos mó ná 95%. I gcomparáid leis an bpróiseas gearrtha sreang traidisiúnta, laghdaíonn sé go mór caillteanas táirgí, agus níl ach 1/3 de tháirgí eachtracha den chineál céanna ag praghas an trealaimh.
